静电将会导致IC（集成电路）等电子部件的静电破坏

近年来，随着电子部件轻量小型化的发展，对静电的耐性正在越变越敏感。

何种程度的带电会导致IC（集成电路）等电子部件的静电破坏？

下列数据仅供参考：对MOS半导体外加仅约80至100 V的电压，就有可能使其丧失作为半导体的功能。

让人体感到刺痛的电压约为3 kV，可见80至100 V有多微量。

半导体元件的种类与破坏电压的示意图

半导体元件的种类破坏电压	破坏电压
MOS型IC	80至100 V
结电场效应晶体管	140至1,000 V
CMOS型IC	200至2,000 V
先导肖特基二极管	100至450 V
MOS电场效应晶体管	50至300 V
双极性晶体管	380至5,000 V
晶闸管	600至1,000 V