光宇开关电源反激变压器绕法对EMI的影响程度

请问如果反激变压器采用三民治绕法的话，采用这种绕法，变压器漏感小，分布电容大，这种绕法是传导好还是辐射好？

      三明治绕法是一种经典的绕法，这其中也分初级包次级、次级包初级还有其它不同的工艺等。关于你说的三明治绕法漏感小、分布电容大，其实这个也是相对，看你的期望值是多少了。三明治绕法这到底是对传导好，还是对辐射好，这个主要还是看个人仁者见仁智者见智了，因为每个工程师的经验与方案都会或多或少偏向某一面了，其实这样去分析问题，会给你带来比较大的误导。
      测试传导与辐射从电磁兼容三要素骚扰源头、路径、敏感源（这部分要是考量EMS电磁抗饶度），就EMI来说就考虑EMI骚扰源、EMI骚扰路径这两个方面就好。
      传导与辐射测试的核心机理的差异，辐射主要是测试电场场强，你的开关电源的骚扰信号（如mos、transformer、D）经过相关路径，让后到发射天线（AC线、PCB trace、load 线缆 ）等，向外发射，必须要有这两方面的条件，才会导致辐射。相反传导测试的时候必须有PCB上的trace路径、较大的PCB上的高频寄生参数、并且只能通过AC线向外发射，与后端的负载线缆、其它的天线是没有关系的。
      所以，单纯的看一个变压器的漏感、分布电容去判定辐射与传导哪个更好一些，有些武断。最后，以你说的从漏感来讲一般会导致PCB内部的近场耦合，相关的器件相互串扰会导致传导或辐射都会有些影响，如果硬要说出哪个多与少，那就辐射差些吧。分布电容同样会影响辐射与传导，如果还是硬要我选择一个那我选择传导会差一些吧，传导里面的transformer初次级的分布电容产生的电动势是你在变压器边跨接那颗Y电容的根源。

MOS管截止的时候会有一个震荡，用示波器测试MOS管的DS波形可以很明确的看到的，这个震荡对辐射影响很大的，那请问怎么消除这个震荡呢？使变压器本身的漏感减小？还有其他方法吗？

最简单是可以添加ds神电容减小那个震荡，一般是无法完全消除的。

用三明治绕法尽量增加初次级线圈的互感与选用更合适的磁芯骨架增强磁路藕合﹑减小漏感可以从绕线工艺、改变匝比、减小磁芯气隙﹑用高磁导率的磁芯材料等……

最后，源头降不了，那就堵住吸收它，例如RCD吸收！

在设计高频变压器时必须把漏感减至最小。因为漏感愈大，产生的尖峰电压幅度愈高，漏极钳位电路的损耗就愈大，这必然导致电源效率降低。对于一个符合绝缘及安全性标准的高频变压器，其漏感量应为次级开路时初级电感量的1％～3％。要想达到1％以下的指标，在制造工艺上将难于实现。减小漏感时可采取以下措施：
1、减小初级绕组的匝数NP(尽量减少绕组的匝数，选用高饱和磁感应强度、低损耗的磁性材料)；
2、增大绕组的宽度（例如选EE型磁芯，以增加骨架宽度）；
3、增加绕组的高、宽比(减少绕组的厚度，增加绕组的高度)，如空间有余，可考虑加长型的骨架，尽量减少厚度；
4、减小各绕组之间的绝缘层，满足耐压要求即可；
5、增加绕组之间的耦合程度。
6﹑减少气隙(如果不能减少的,可以改用大一号的磁心，尽量减小初、次匝比)，对改善漏感比较明显。
7﹑次级对应初级的中间,起码不要偏离,对漏感也比较明显。
8﹑每一组绕组都要绕紧，并且要分布平均。
9﹑引出线的地方要中规中矩，尽量成直角，紧贴骨架壁。

        其实Tony自己也提到了关于漏感与分布电容的问题，同样也呈现了一个物极必反的规律！即变压器不能一味的要求漏感小，因为你在减小漏感的同时一般都会使你的变压器初次级分布电容提高，分布电容高的话同样会产生浪涌电流和尖峰电压及脉冲顶部震荡，造成损耗增加，对同一变压器要同时减少漏感和分布电容是比较麻烦的，应根据不同的工作要求与实际测试情况，保证合适的分布电容和漏感，在这其中选择一个平衡点！
        个人实际经验来看漏感大的话辐射不太好过、分布电容大的话传导不好过！这就验证了我平时看到或者听到电子工程师说，我的传导合格了、但是辐射不合格，或者辐射合格了、但是传导不合格，EMI solution的互斥的缘由了。