MOS电特性参数测试

MOS，是MOSFET的缩写。全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）。MOS管最基本且常用的功能是通过对G级施加电压以控制S与D之间的开启与关闭，常用作电子开关。

MOS主要有以下几个特点：

       1、栅压输入阻抗高，MOS管栅极有绝缘膜氧化物，但栅极容易被静电、高压击穿，造成不可逆的损坏。

       2、导通电阻低，可以做到毫欧级，低损耗。

       3、开关速度快，开关损耗低

MOS主要电参数特性：

根据MOS的特点，在MOS的使用当中最常关注的电特性参数有以下方面：

BVDSS（源漏击穿电压）

       用于评估DS之间的耐压情况。对于大功率MOS，DS之间的耐压通常要求至千伏级别，在使用PROBE进行晶圆级测试时，通常需采用绝缘氟油保护，防止芯片表面发生空气击穿而造成破坏。

IDSS（源漏泄漏电流）

       DS沟道关闭时的泄漏电流，MOS在非工作状态下的DS损耗，通常为uA级别。

IGSS（栅极泄漏流）

       在一定栅压下流过栅极的泄漏电流。

Vth（开启电压）

       能使漏极开始有电流时的栅极电压。

RDS（on）（导通电阻）

       DS之间的导通电阻，与MOS在开启时的传输损耗有关，RDS（on）越大，MOS的损耗越高。RDS（on）通常为mΩ级别，在使用PROBE进行晶圆测试时，在DS之间使用四线法搭载测试环境，以消除金属探针自身电阻的影响。对于大功率MOS的测试，采用高功率探针，瞬时电流能够达到百安级。

一般用于导通电感负载传来的反向电流。

Ciss（输入电容）

        Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

Coss（输出电容）

        Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，它可能引起电路的谐振。

Crss（反向传输电容）

        反向传输电容等同于栅漏电容Cgd，也叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，影响关断延时时间。MOS管的电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。