MCU芯片使用外置晶振(MCU外置一个无源16M晶振），ESD会将MCU打复位，使用MCU内部晶振时无问题。 外置晶振频率16M，芯片内部晶振96M，同步将外部晶振频率软件倍频到芯片内部频率一样，改为96M就OK，现象非常明显， 这个原因有清楚的不，或者大概的原因可能性有哪儿些？
MCU单片机内置晶振与外置晶振在EMC（电磁兼容性）方面存在显著的差异。以下是对两者EMC差异的具体分析：
MCU（微控制单元）中的晶振是时钟源，用于提供系统时钟。在选择内置晶振和外置晶振时，EMC（电磁兼容性）是一个需要考虑的重要因素。以下是两者在EMC方面的差异：
1. 内置晶振
优点：
- 更好的EMC性能：内置晶振通常集成在芯片内部，减少了外部布线。这种设计减少了电磁辐射，降低了对外部电磁环境的干扰。
- 减少噪声耦合：由于晶振和相关电路都集成在芯片内部，外部噪声较难耦合进来，从而提高了抗干扰能力。
- 简化PCB设计：内置晶振无需额外的外部元件和PCB布局设计，减少了走线和寄生效应对电路的影响。
- 内置晶振直接嵌入到单片机芯片内部，与外部环境接触较少，减少了电磁辐射的泄露。
- 晶振电路、时钟分频电路和时钟校准电路等关键部分均被封装在芯片内部，通过芯片内部的引脚和线路连接，有效降低了电磁辐射的风险。
- 由于内置晶振与外部环境相对隔离，因此对外界电磁干扰的敏感度较低。
- 芯片内部的电磁屏蔽设计也有助于提高抗干扰能力，确保时钟信号的稳定性和准确性。
缺点：
- 频率稳定性和精度有限：内置晶振的频率可能不如高精度外置晶振稳定，可能会对对时钟精度要求较高的应用造成影响。
2. 外置晶振 优点：
- 更高的频率精度：外置晶振可以选择更高精度和更高稳定性的晶振，适用于对时钟频率要求严格的应用场合。
- 灵活性更强：外置晶振可以根据应用需求选择不同规格、不同频率的晶振。
缺点：
- 较差的EMC性能：由于晶振和芯片之间需要走线，走线可能会成为电磁辐射源，增加EMC问题。此外，外部走线还可能引入噪声耦合，降低系统的抗干扰能力。
- 增加PCB设计难度：需要考虑晶振及其周边电路的布线、电源滤波和地线设计，以减少EMC问题。
- 外置晶振需要通过外部电路与单片机连接，这些电路包括晶振、稳压电路和相关滤波电路等。
- 这些外部电路在工作时会产生一定的电磁辐射，如果设计不当或防护措施不足，可能会对其他电子设备造成干扰。
- 外置晶振的电路与外界环境直接接触，容易受到外界电磁干扰的影响。
- 例如，电源线、信号线等可能引入的电磁噪声会干扰晶振电路的正常工作，导致时钟信号的不稳定或失真。
3. 差异总结 - 电磁辐射：内置晶振的电磁辐射较小，而外置晶振由于存在外部电路，电磁辐射相对较大。
- 抗干扰能力：内置晶振由于与外部环境相对隔离，抗干扰能力较强；而外置晶振则更容易受到外界电磁干扰的影响。
- 时钟性能：内置晶振精度低一点，外置晶振可以做到很高精度。
- 总的来说，内置晶振在EMC性能上通常优于外置晶振，但外置晶振在频率稳定性和应用灵活性上具有优势。在设计时，需要根据具体应用的需求权衡选择。
4. EMC优化建议 - 如果使用外置晶振，确保晶振和MCU之间的连线尽量短且直，并且周围进行适当的屏蔽和滤波。
- 在PCB布局时，尽量将晶振放置在MCU附近，并注意信号线的走线，以减少环路面积，降低电磁干扰。
- 对于高精度的应用，可以选择封装良好的外置晶振，并通过合理的设计和布局来控制EMC问题。
- 在对EMC要求较高的应用场景中，如医疗设备、航空航天等领域，建议优先考虑使用内置晶振的MCU单片机，以降低电磁辐射和提高抗干扰能力。
- 对于一般的应用场景，如消费电子、智能家居等，可以根据具体需求和成本考虑选择合适的晶振方式。如果对外置晶振的EMC性能有担忧，可以通过优化电路设计、增加滤波元件等措施来提高其EMC性能。
综上所述，MCU单片机内置晶振与外置晶振在EMC方面存在明显的差异。在实际应用中，应根据具体需求和场景选择合适的晶振方式，并采取相应的措施来提高系统的EMC性能。 | 
