可控硅控制加热器功率，EMC传导不合格测试曲线
曲线的对应分析
曲线特征根因对应整改
150k–1MHz 全面超di/dt 过大差模电感
0.3–1MHz 尖峰dv/dt 过快RC Snubber
5–20MHz 鼓包共模耦合EMI 滤波 + 接地
峰值/平均都超连续干扰三者必须同时做
根据经验，99% 情况如下：❌ 可控硅前面 没有专用 EMI 滤波器
❌ 即使有滤波：
[*]电感值太小
[*]没有 RC Snubber
[*]Y 电容没法用或太小
❌ 可控硅 dv/dt 抑制不足❌ 加热器线缆较长（等效天线）
这个可控硅传导不合格，根因 100% 是：
可控硅相位切割产生的强差模 + 共模宽带骚扰，
现有输入端抑制措施严重不足。
不合格原因一：为什么可控硅会在传导上“超这么多”
原因一：相位切割 = 人为制造“电流冲击”可控硅的工作方式本质是：
[*]每个工频半周
[*]在 α 导通角突然导通
[*]电流从 0 → 峰值 几微秒内完成
极大的 di/dt（电流变化率）
不合格原因二：加热器是“近似纯阻性负载”，反而更糟很多人以为：“加热器是电阻，应该很干净”这是 EMC 里一个非常大的误区。实际情况是：
[*]没有电感缓冲
[*]电流上升极快
[*]电网阻抗 + 线缆阻抗 → 转化成 共模 + 差模噪声
纯阻性负载 = di/dt 最大
不合格原因三：可控硅 dv/dt 极高，疯狂往电源线“灌共模噪声”当可控硅在某个相位点触发时：器件两端电压瞬间塌陷
dv/dt 非常大
通过：
[*]可控硅结电容
[*]散热片
[*]PCB 分布电容
[*]外壳
大量共模噪声被注入 L/N → 地这就解释了：
[*]5～20 MHz 的“鼓包”
[*]以及图中明显的共模主导形态
不合格原因四：控制角变化 → 噪声“随功率变化而变”如果你在测试时：
[*]扫描了多个功率档位
[*]或功率是闭环调节的
那么：
[*]每个导通角 = 不同频谱结构
[*]测试时刚好“撞上最差点”
EMC 测试 一定会抓到最脏的那一刻，只要认真测试，或者随机遇到
为什么“比开关电源还难过”？（有共鸣吗？）
项目开关电源可控硅
开关频率固定随相位变化
波形可预测极不规则
EMI 频谱集中宽带连续
滤波难度中等很高
EMC 工程师最怕❌✅
👉 很多实验室私下都说：
“EN55014 里最难过的，不是 开关电源，而是可控硅。”
整改思路、整改方向，整改具体措施：🔥 整改核心（几乎必做）
[*]可控硅 RC Snubber（并在可控硅两端）
[*]可控硅前串联差模电感（不是磁珠）
👉 这是抑制 di/dt、dv/dt 的根本
专用 55014 用 EMI 滤波器
[*]L–N 差模
[*]L/N–PE 共模
滤波器必须 靠近电源入口
调整触发方式
[*]零点控制（ZC） vs 相位控制
或改为：
[*]周期调功（Burst Control）
可控硅两端 RC Snubber（第一优先级） 作用
[*]降低 dv/dt
[*]压制 150 kHz～5 MHz 的宽带尖峰
[*]对图中 0.3–1 MHz 超标最有效
推荐参数（220 VAC 通用）
元件推荐值备注
R47 Ω ～ 100 Ω≥1 W，非绕线
C0.047 µF ～ 0.1 µFX2 安规电容
连接并在可控硅 MT1–MT2走线越短越好
👉 经验结论：
[*]0.1 µF + 47 Ω → 抑制更猛
[*]0.047 µF + 100 Ω → 发热更低
常用首选：
👉 0.1µF (X2) + 47Ω
参数差异会“抑制猛 / 发热低”
参数抑制能力发热
0.1 µF + 47 Ω⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐⭐
0.047 µF + 100 Ω⭐⭐⭐⭐⭐
工程经验：
[*]电容越大 → dv/dt 抑制越强
[*]电阻越小 → 能量吸收越狠，但更热
220V 加热器首推：
[*]功率大、EMI 很猛 → 0.1 µF + 47 Ω
[*]功率小、留余量 → 0.047 µF + 100 Ω
可控硅前串联差模电感（不是磁珠）很多人漏掉，但极其关键的一步。🔧 作用
[*]限制导通瞬间 di/dt
[*]把“电流断崖”拉成“斜坡”
[*]对 150 kHz～1 MHz 特别有效
推荐参数（220V 加热器）
参数推荐范围
电感值100 µH ～ 470 µH
额定电流≥ 加热器 RMS 电流 ×1.5
类型铁硅铝 / 铁粉芯
位置可控硅前，L/N 串联
注意：
[*]不要用磁珠（会饱和）
[*]不要放 EMI 滤波器后面（效果打折）
电源入口 EMI 滤波器
[*]差模：可控硅电流谐波
[*]共模：dv/dt 经寄生电容耦合的噪声
推荐器件级别：
[*]共模电感：2×(5–10 mH)
[*]X2 电容：0.1 µF ～ 0.47 µF
[*]Y 电容：2.2 nF ～ 4.7 nF
外壳接地不好 = Y 电容效果直接腰斩
为什么“只加滤波器”通常过不了？这是一个非常重要的工程认知点：
[*]EMI 滤波器 ≠ 噪声消除器
[*]它只能“挡”，不能“治”
如果：
[*]可控硅 dv/dt 没压
[*]di/dt 没限制
整改顺序是：可控硅本体 → 差共模/路径限制 → 再到 EMI 滤波
改控制方式（如果允许）
[*]相位控制 → 整周期控制（Burst / ZC）
[*]EMC 改善幅度：10–20 dB（非常明显）
项目任意角度导通0° 过零导通
电压瞬间值高≈ 0
dv/dt极大极小
di/dt极大极小
高频谐波很多极少
EMI❌ 高✅ 低
整周期（Burst / Zero-Cross）控制，是通过仅在交流电压过零点（α = 0°）触发导通，并以整周期通断方式调节输出功率，从而避免相位控制中因非零相位导通带来的高 dv/dt 与 di/dt，显著降低 EMI。
功率调节靠“周期数量”，不是靠“角度大小”
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